
Модуль памяти 2Gb SO-DDR3 1600MHz Samsung
Модуль памяти 2Gb SO-DDR3 1600MHz Samsung

Цена:
590 Р
Характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Показать полностью
Свернуть описание
08:56:14 - 09.05.2025
11:28:24 - 09.05.2025