
Модуль памяти 8GB DDR4 3200MHz Samsung M378A1K43EB2-CWE
Модуль памяти 8GB DDR4 3200MHz Samsung M378A1K43EB2-CWE
Характеристики
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность 17000 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 2
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность 17000 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 2
Показать полностью
Свернуть описание
06:52:44 - 04.12.2025
06:52:44 - 04.12.2025